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一切准备完毕,图纸大概的画了画。由于有实物在眼前,江夏也不用耗费太大的能量去构建这种集成电路。
会死人的!
这几套板子看着不起眼,其实可是科学院近期的倾力之作,虽然光刻精度也就是10μm,对比起后世的3nm,可谓不值一提。
可是,你知道嘛,那块正中间的,面积估计有20mm^2的晶圆上,已经集成了快1000个晶体管了,嗯,800多个也是快到1000了吧。
所以,要是江夏真的傻乎乎去构建这么多晶体管,被那个不靠谱的扫描仪吸成人干都是轻的!
负责这个事情的希德博士竟然认为这些都是残次品,昨天项目例行汇报给江夏通话的时候,这位巾帼念一念数据,居然差点哭了出来。
是的,就算是过年,这帮科学院的大佬们都没有休息的,正巧初一那天算是例行的汇报日。
有了电话就用,江夏本想着给这帮人拜拜年,结果说一说的,就扯到了集成电路上。
“光刻技术还是太低了点,无法实现高密度互连……”
“而且,现在直径25mm晶圆面积太小了,复杂电路还是容纳不下。目前这种集成度的东西,制备晶圆不论好坏,只能生产出不到10片的成品!”
啧啧,希德博士,您这要求也太高了吧!江夏听着这位巾帼英雄委屈的话语,都不知道是该称赞还是该鼓励了。
大姐,您知道现在那帮大鼻子商用IC(德州仪器SN502)仅仅包含了4个晶体管,他就敢卖320美元……
(IntegratedCircuit,简称IC,也就是商业用途的集成电路咯。解释一下,把这玩意当成IC卡可不行。)
咱们这四舍五入集成了1000个晶体管的东西,扔到市场上面,会把整个IC市场炸个底朝天,你信不信!
不过,现在这种东西可不能往外透露,会惹祸的,还是大祸。
希德博士也不知道电话这头的江夏想些什么,只是抽了抽鼻子继续汇报:
“在进行成品核验的时候,发现个严重的问题……”
“当集成200逻辑门以上,同时运行功耗≥2W的时候,整体集成晶圆温度将达到320摄氏度以上,然后,可怕的事情就出现了……”
希德博士语气低沉,看着手里有些发黑的晶圆片,又是泪眼婆娑。
“出现了闩锁效应嘛?”
“诶?”
“哦!”江夏拍了拍脑门,串行了串行了。
闩锁效应这个专有称呼还是CMOS工艺成型后,出现的一个专有名词,现在大家不知道还是正常的。
简单来说,这就是CMOS结构内寄生SCR的意外触发,需通过“降低寄生参数+阻断触发路径”综合防控。
看不懂?
那我们就说复杂点,那就是散热不好,烧掉了呗!
专业点就是:金属连线熔断、氧化层击穿,芯片永久失效。
“不过,我前面规划的路子不是先走PMOS这种仅仅需要使用P型沟道MOS管,通过空穴导电的集成工艺嘛?
怎么这时候,这种升级版工艺CMOS的通病就找上门来了?”
江夏抓抓脑袋有些不明所以,但,对芯片制备这种产业链知识,小呆毛也仅仅是从科普博主得来的。
为什么会出现这种原因,他也是“莫宰羊啊!”!
不过,虽然不知道,但江夏还是笨拙的,引用了一些脑海里的数据安慰了下希德老师。
什么世界领先,把那些只能集成4个晶体管的家伙早就踩在脚下了,什么架构先进他们五分之一个世纪之类的词全都用上了。
就这样,还是劝阻不了希德博士的哭泣。
“呜呜呜……光刻掩膜版的绘制,太耗钱了!错了一笔都要重新画,我们估算了下成本,光是在手绘稿上面,我们就已经消耗了美元了!”
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