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第六十三章 学术皇帝的诞生（第5页）

就差PPT了。

这种模式，完全是各个院士把他们自己当做实验室小导，而卿云是指明方向的大导一般。

更让他觉得难以置信的是，无论是卿云还是面前一个个德高望重的院士，都觉得是理所当然一般。

半导体方面的就不说了，他听得出来，卿云的指向性很明白。

各个环节的发展都是正序推进，也就是说有国外的先发经验可以参考。

但什么船舶专业这小王八蛋也都能插一手，这就让刘浏觉得眼角直抽搐了。

台上的卿云此刻总结到，“邹院，碳化硅材料有卓越的耐高电压、高频、高温特性，我觉得可以及早布置下去，让海军技术研究院的人提前参与进来。

这是我们最快也是最直接的终端用户，他们的需求是第一位的。”

那边被点名的邹院闻言也是喜笑颜开，“没问题，我立刻联系老张他们。

按照你的说法，碳化硅材料的禁带宽度为3.26eV，相较于硅的1.12eV，允许碳化硅器件在更高的温度下稳定运行，能保证我们的器件在承受高频的电磁攻击下不发生击穿，那么确实在军舰的电子仪器系统中将发挥巨大的作用。”

坐在另一边的大王先生王阳明也是颔首，“碳化硅具有2倍于硅的饱和电子漂移速率，导致其器件在关断过程中不产生电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅开关速度的3-10倍。

这使得碳化硅在军舰的雷达系统、通信设备等需要高速切换的电子设备中表现出色。”

不过材料学泰斗严东升此时却皱起了眉头，“碳化硅好是好，但制备存在很大的难度。

生长速度慢，一周才能生长2厘米，材料晶型多样，存在超过200种相似的晶型，需要精确的材料配比、热场控制和经验积累，才能在高温下制备出无缺陷、皆为4H晶型的可用碳化硅衬底。

但是碳化硅衬底的表面特性不足以直接制造器件，需要在单晶衬底上额外沉积一层高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。

外延层的质量对器件性能的影响非常大，而高压领域对缺陷的控制是非常大的挑战，而且后加工难度很大，碳化硅是硬度仅次于金刚石的材料，晶棒后续的切片、研磨、抛光等工艺的加工难度显著增加，我们国内缺乏这类的加工器材。

而且由于碳化硅扩散温度远高于硅，无法使用扩散工艺，只能采用高温离子注入的方式。

但高温离子注入后，材料原本的晶格结构被破坏，需要用高温退火工艺进行修复。碳化硅退火温度高达1600℃，这对设备和工艺控制都带来了极大的挑战。”

老头絮絮叨叨的说着，半响他叹了口气，“归根到底还是成本问题，我个人认为，小卿你太乐观了些，三五年内，它很难走出实验室。”

此话一出，全场也是议论纷纷，严东升的担忧引起了在场人士的广泛讨论。

云帝很是欣慰，现在的院士们在他潜移默化的影响下，看问题的角度更加务实了。

不过眼前这个问题，他不接受反驳。

在电子战领域，每一个微小的技术优势都可能成为决定战局的关键。

碳化硅材料的耐高温、耐高压特性，使其在电子战中能够承受极端的电磁环境，保持电子设备的稳定运行。

这个材料的攻破时间必须提前。

因为他的出现，已经导致半导体产业的发展提速。

但是，如果国家没有一只强大军队作为后盾，只是单方面的攀升科技树，那么作为肥羊被宰都是最轻松的。

16年发生的事，很可能会提前。

要是没有提前准备，到时候退的，可能就不是阿美莉卡了。

国力必须协同军力同步发展，有的时候穷兵黩武一点也没问题。

守不住，一切都是空谈。

卿云坚定地说道：“严院士，我理解您的担忧，碳化硅的制备和加工确实存在难度。

但我们必须看到，这些难度并非不可克服。

成本问题是需要迭代去解决的。

既然我们已经确认了它的前景，通过严院士您的团队，我们也在碳化硅的制备技术上取得了一定的进展，那么我们就坚定的走下去。

我相信，随着我们产业上自身技术的不断进步，这些难题将会被一一解决。”

“设备这边，工信部正在摸底，相信民间还是有一定智慧的。同时我们也在通过玻璃产业去引进一些国外的高端设备。

但我还是那句话，能用国产，就用国产，性能差点没关系，迭代就好，在我们力所能及的范围内，给国产一片成长的土壤。”

“硅具有高理论比容量和低嵌锂电位，接近锂金属负极的理论比容量，按照形成Li3.75Si合金计算，其理论克比容量达到3579mAhg，接近商业石墨负极理论容量的10倍。

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